Descripción
Las fuentes generadoras de terahercios con tecnología de diodos IMPATT disponen de diodos de doble derivación de silicio con una región de tránsito de 0,6 um, montados en un disipador de calor de cobre.
Los generadores de teerahercios están equipados con un aislador protector que mejora significativamente la estabilidad de la potencia de salida. Se puede solicitar una fuente THz con una antena de bocina rígidamente fija o una brida WR. La potencia de salida típica del generador con frecuencia optimizada a 100 GHz puede alcanzar hasta 100 mW. Esto les permite ser utilizados junto con multiplicadores para alcanzar frecuencias en el rango espectral de terahercios lejanos.
Además, estas fuentes presentan un diseño ergonómico y facilidad de uso. Se puede suministrar opcionalmente un generador THz con atenuador y secciones de interruptor.